El alumno Antxon Arrizabalaga Etxezarreta obtuvo la mención 'Doctorado Internacional’'
El alumno Antxon Arrizabalaga Etxezarreta obtuvo la mención 'Doctorado Internacional’'
El alumno Antxon Arrizabalaga Etxezarreta obtuvo la mención 'Doctorado Internacional’'
Título de tesis: "Wide Band Gap Technologies for Medium Voltage Applications."
Tribunal:
- Presidencia: Leon Tolbert (University of Tennessee)
- Vocalía: Estanislao Oyarbide Usabiaga (Universidad de Zaragoza)
- Vocalía: Iker Aretxabaleta Astoreka (UPV/EHU)
- Vocalía: Víctor Manuel López Martín (Ikerlan)
- Secretaría: David Garrido Diez (Mondragon Unibertsitatea)
Resumen:
Las energías renovables están experimentando un gran incremento en los últimos años. Debido a sus singularidades, la electrónica de potencia es necesaria para su integración masiva en la red. En este contexto, los módulos de alta potencia de carburo de silicio (SiC) se identifican como posibles candidatos para mejorar las características de los semiconductores insulated gate bipolar transistor (IGBT) de silicio (Si) que se utilizan actualmente en la energía eólica, dadas sus mejores propiedades. El objetivo principal de esta tesis es analizar el impacto de los semiconductores de SiC en la energía eólica, e identificar los principales retos que conlleva su uso en comparación con los módulos de Si.